存储器

据海力士介绍，全新的 HBM4 采用了较前一代产品翻倍的 2048 条数据传输通道，将带宽扩大一倍，同时能效也提升 40% 以上。凭借这一突破，该产品实现了全球最高水平的数据处理速度和能效。

High NA EUV 拥有比当前 EUV 更高的数值孔径（NA），可大幅提升分辨率，能够绘制当前最微细的电路图案，预计将在缩小线宽和提升集成度方面发挥关键作用。

本文转自：科技日报 科技日报记者 张梦然 通过铁电栅极绝缘体和原子层沉积氧化物半导体通道，日本科学家制造了三维垂直场效应晶体管，可用来生产高密度数据存储器件。此外，通过使用反铁电体代替铁电体，他们发现擦除数据只需要很小的净电荷，从而提高了写入的效率。发表在2022年电气与电子工程师协会（IEEE）硅