DRAM

LPDDR6 还引入了增强的安全机制来保障数据完整性，使其应用范围从移动领域扩展到工业和关键任务型 AI 环境。

在 DRAM 领域，由于供应紧张，买家正疯狂囤货，一看到报价便立即下单，直接推动现货价格飙升。而在 NAND 闪存领域，供应商的惜售和控量策略，也导致市场交易零星，价格持续走高。

此前的供应协议一般是按照季度或单一年度签署，这一变化显示下游企业将保障远期供应而非库存灵活性摆在首要地位。

集邦咨询 TrendForce 昨日（10 月 22 日）发布博文，报告称内存现货市场正经历一轮迅猛的涨价潮。由于买家为对冲未来涨价风险而积极备货，DRAM 和 NAND 闪存现货市场加价趋势明显，各类容量的晶圆价格普遍上涨，市场看涨情绪浓厚。

SK 海力士在 DRAM 领域的大力投资离不开该企业目前在 HBM 上的主导地位，业内预计到 2027 年其约 40% 的产能将被 HBM 占用。

SK海力士宣布推出采用High-K EMC材料的移动DRAM，热导率提升3.5倍，有效解决智能手机发热问题，提升性能并延长电池续航。#智能手机##散热技术#

近期多家厂商宣布对 DRAM 内存与 NAND 闪存产品价格进行涨价，而逐渐淡出主流市场的 DDR4 产品也并不例外。随着市场形势变化，国内 DRAM 芯片制造商长鑫存储（CXMT）正在考虑提高 DDR4 内存的价格，但具体涨价幅度暂不知悉。

消息源 DigiTimes 今天（1 月 22 日）发布博文，报道称三星电子否认了关于重新设计其第五代 10nm 级 DRAM（1b DRAM）的报道。

2025Q1 进入 DRAM 市场淡季，在智能手机等需求持续萎缩、部分产品提前备货的背景下各类别内存价格均将下滑。

三星 Q3 营收为 107 亿美元（当前约 775.72 亿元人民币），环比增长 9%，排名维持第一，出货量与上季持平，但市场份额反而有所下降。

该企业今年 8 月合并营收 28.02 亿新台币，环比增长 2.07%、同比增长 8.83%。

0C nm 即第 3 代 10nm 以下级节点。目前三大原厂最先进的工艺是 1b nm，即第 6 代 20~10 纳米级节点。