SK海力士

据海力士介绍，全新的 HBM4 采用了较前一代产品翻倍的 2048 条数据传输通道，将带宽扩大一倍，同时能效也提升 40% 以上。凭借这一突破，该产品实现了全球最高水平的数据处理速度和能效。

High NA EUV 拥有比当前 EUV 更高的数值孔径（NA），可大幅提升分辨率，能够绘制当前最微细的电路图案，预计将在缩小线宽和提升集成度方面发挥关键作用。

SK海力士宣布推出采用High-K EMC材料的移动DRAM，热导率提升3.5倍，有效解决智能手机发热问题，提升性能并延长电池续航。#智能手机##散热技术#

SK 海力士宣布 321 层 2Tb QLC NAND 闪存量产，全球首次超 300 层 QLC 技术应用。容量、性能显著提升，明年上半年推出产品。将用于 PC、数据中心、手机等。#SK 海力士 #闪存量产#

SK 海力士今天（7 月 24 日）公布了 2025 财年第 2 财季（截至 2025 年 6 月 30 日）报告，营业收入为 22.232 万亿韩元，同比增长 35%、环比增长 26%。

据外媒 thelec 报道，SK 海力士决定将今年支出（CAPEX）提高 30%，以应对业界对 HBM3E 产品需求的激增。此前 SK 海力士计划今年在扩展设施上的投资 22 万亿韩元（IT之家注：现汇率约合 1122.66 亿元人民币），但目前这一数字已经上调至 29 万亿韩元（现汇率约合 1479.87 亿元人民币）。

SK 海力士在公司公告栏上宣布，将发放相当于基本工资 1500% 的绩效奖金，这也是有史以来规模最大的一次（奖金将于本月 24 日发放）。

SK 海力士在 10 月份的第三季度电话会议上表示，预计 HBM 将在第四季度占其 DRAM 业务营收的 40% 份额。随着 SK 海力士与博通达成协议，预计这一比例将进一步上升。

同时，韩国媒体 Quasar Zone 也放出了 P51 评测数据，速度大约是现有 P41 的两倍，这都意味着这款硬盘将于近期上市。

新设的AI芯片开发部门整合了 DRAM、NAND 和解决方案的开发能力，着眼于下一代 AI 内存等未来技术，旨在促进公司整体的技术协同。

受人工智能（AI）服务器需求激增影响，企业级固态硬盘（SSD）的价格飙升了 80% 以上。为满足市场需求，SK 海力士及其子公司 Solidigm 正加速扩产 NAND 闪存。