SK 海力士

英伟达“Vera Rubin”AI系统计划今年夏季出货，其HBM4内存供应链份额曝光：SK海力士占70%，三星占30%，美光未进入HBM4供应链，但将为系统CPU供应LPDDR5X内存。 #英伟达# #AI芯片# #HBM4#

SK海力士在3D FeNAND技术上取得突破，通过单元、电路和计算架构的协同优化，使存内计算阵列的能效提升7.17倍，算力提升20.4倍，为高能效AI硬件发展提供了新路径。#AI芯片##存储技术#

近日有传闻爆料称，SK 海力士计划停产消费级存储器。对此，SK 海力士今日回应称，目前并未有探讨或规划退出消费者用产品事业的计划。

韩媒报道，2026年2月三星、SK海力士将大规模量产HBM4芯片。三星采用10nm制程，产品多供英伟达“Vera Rubin”及谷歌第七代TPU。此前传闻两家未来一年HBM产能已售罄。##HBM4芯片量产##

考虑到通常在新一代 HBM 发布前价格会下调，这一涨幅被认为是异常情况。有观点认为，这是英伟达、谷歌、亚马逊等 AI 加速器企业上调明年 HBM3E 订单量所导致的。

Omdia数据显示，2025年Q3全球DRAM销售额达403亿美元，SK海力士以34.1%的市场份额连续三季度居首，三星电子紧随其后。HBM成为决定差距的关键因素。#DRAM市场# #SK海力士#

行业预测内存涨价现象有望在2027年得到缓解，但明年LPDDR6内存仍将大涨，可能仅出现在Pro级新机上。SK海力士计划2026年大幅提升DRAM产能，重点分配AI服务器和高性能计算领域。 #内存涨价# #LPDDR6#

如今全球 NAND 持续供过于求，相应市场面临严峻挑战，除了企业级 SSD 有动能支撑外，其他终端产品销量均普遍不如预期，供货商库存持续上升，订单需求下降。据外媒 TechPowerup 报道，如今业界三星、SK 海力士、铠侠、美光均已开始研究减产计划，从而缓解供需失衡并稳定价格，预计相关厂商计划会按照市场实际情况分阶段进行，而从长远来看此举可能会加速行业整合。

两家企业的市值份额之差为 8.9 个百分点，系 2011 年 7 月 18 日（8.84 个百分点）以来近 13 年零 3 个月的最小水平。

目前 8 层和 12 层 HBM3E 支持 36GB 容量，每秒可处理超过 1.18TB 数据，而 HBM4 将提供 12 层和 16 层产品，最大容量为 48GB，数据处理速度可超过每秒 1.65TB。