消息称三星、SK 海力士 HBM3E 内存明年涨价近 20%,需求不降反增
考虑到通常在新一代 HBM 发布前价格会下调,这一涨幅被认为是异常情况。有观点认为,这是英伟达、谷歌、亚马逊等 AI 加速器企业上调明年 HBM3E 订单量所导致的。
考虑到通常在新一代 HBM 发布前价格会下调,这一涨幅被认为是异常情况。有观点认为,这是英伟达、谷歌、亚马逊等 AI 加速器企业上调明年 HBM3E 订单量所导致的。
Omdia数据显示,2025年Q3全球DRAM销售额达403亿美元,SK海力士以34.1%的市场份额连续三季度居首,三星电子紧随其后。HBM成为决定差距的关键因素。#DRAM市场# #SK海力士#
行业预测内存涨价现象有望在2027年得到缓解,但明年LPDDR6内存仍将大涨,可能仅出现在Pro级新机上。SK海力士计划2026年大幅提升DRAM产能,重点分配AI服务器和高性能计算领域。 #内存涨价# #LPDDR6#
如今全球 NAND 持续供过于求,相应市场面临严峻挑战,除了企业级 SSD 有动能支撑外,其他终端产品销量均普遍不如预期,供货商库存持续上升,订单需求下降。据外媒 TechPowerup 报道,如今业界三星、SK 海力士、铠侠、美光均已开始研究减产计划,从而缓解供需失衡并稳定价格,预计相关厂商计划会按照市场实际情况分阶段进行,而从长远来看此举可能会加速行业整合。
两家企业的市值份额之差为 8.9 个百分点,系 2011 年 7 月 18 日(8.84 个百分点)以来近 13 年零 3 个月的最小水平。
目前 8 层和 12 层 HBM3E 支持 36GB 容量,每秒可处理超过 1.18TB 数据,而 HBM4 将提供 12 层和 16 层产品,最大容量为 48GB,数据处理速度可超过每秒 1.65TB。