光刻机

9 月 30 日，佛山市人民政府、顺德区人民政府与 ABM 公司签订合作协议，年产百台（套）光刻机及先进封装核心设备生产基地项目落户广东佛山。

俄罗斯科学院公布国产极紫外光刻设备路线图，计划2026年起分三阶段研发11.2纳米波长技术，目标2037年实现亚10纳米制程。该技术采用氙气等离子体光源和钌/铍反射镜，规避ASML专利限制，主打高性价比小型晶圆厂需求。 #芯片制造##光刻机#

尼康目标是将在其浸没式 ArF 光刻系统的市场占比提升到与干式 ArF 领域相当的更高水平。

EXE:5200 是现有初代 High NA EUV 光刻机 EXE:5000 的改进款，根据 ASML 方法的说法“更适合大批量生产”。

美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）正在研发一种基于铥元素的拍瓦（petawatt）级激光技术，该技术有望取代当前极紫外光刻（EUV）工具中使用的二氧化碳激光器，并将光源效率提升约十倍。这一突破可能为新一代“超越 EUV”的光刻系统铺平道路，从而以更快的速度和更低的能耗制造芯片。

据荷兰媒体《NOS》报道，荷兰庇护和移民事务部对一名阿斯麦（ASML）前员工实施了为期 20 年的入境禁令。这名与俄罗斯有联系的个人目前正在接受调查，他被怀疑从阿斯麦窃取重要的微芯片文件并涉嫌从事间谍活动。当地媒体报道称，荷兰很少实施此类禁令，通常只在涉及国家安全的案件中才会这样做。

欧洲最大的科技公司、计算机芯片设备制造商 ASML 周四表示，预计未来五年销售额将增长 8% 至 14%，因为人工智能的蓬勃发展推动了对其最先进工具的强劲需求。

据台媒《经济日报》今天下午援引业界消息称，台积电首台ASML High NA EUV光刻系统设备本月将进机，这将使其“持续领先”三星晶圆代工的交机进度。