长鑫存储

长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米，存储器电容深宽比 45:1，核心动能区高度降至 6762 纳米；同时，第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升，同等条件下，每张晶圆的产出，与上一代平台相比提升了 50% 以上。

中兴通讯终端事业部总裁、努比亚技术有限公司总裁倪飞发文宣布，努比亚 NaviX Ultra 手机全系 512GB 起步。他表示，信得过国产存储之光长鑫，更信得过用户值得极速存力、充沛容量。

中国 DRAM 龙头长鑫存储正式起诉美国国防部，指控其将公司列入“涉军企业”黑名单缺乏证据，并要求移除。长鑫表示，其产品为民用与商业用途，与军方无关，此次诉讼旨在维护商业利益和声誉。#长鑫存储起诉美国防部#

长鑫存储技术有限公司开通了官方微博。IT之家注意到，其目前有三个关注，首个关注的账号便是小米手机。本月 24 日，小米首款 AI 旗舰 SoC 玄戒 O3 今日发布，行业首发支持 LPDDR6，消息称长鑫存储是核心合作伙伴。#长鑫存储# #小米玄戒O3#

据第一财经消息，长鑫存储 LPDDR6 已接近量产前的研发验证尾声，首款产品速率达 12800Mbps，在低功耗设计等方面相比 LPDDR5X 有明显优化，预计下半年量产导入。#长鑫存储LPDDR6#

为应对全球存储芯片短缺及价格上涨压力，苹果正与长鑫存储、长江存储谈判，计划为在华销售设备采购其芯片。此举涉及高层游说，以应对潜在政治风险。#苹果供应链##国产芯片#

据《金融时报》消息，苹果正游说美国政府，希望获批采购中国长鑫存储的内存芯片，以应对 AI 热潮下 DRAM 价格上涨带来的成本压力，长鑫存储已被美方列入实体清单等。若此传闻属实，苹果此举凸显了美科技企业在供应链上的两难处境。#苹果供应链# #长鑫存储# #苹果#

海盗船新款 Vengeance DDR5 内存被发现采用长鑫存储 DRAM 颗粒，这是海外品牌首次使用国产 DRAM。该内存规格为 DDR5-6000，同时支持 Intel XMP 和 AMD EXPO，性能与主流产品相当。长鑫已公布 DDR5 路线图，最高速率可达 8000 Mbps。#长鑫存储# #国产芯片#

近期多家厂商宣布对 DRAM 内存与 NAND 闪存产品价格进行涨价，而逐渐淡出主流市场的 DDR4 产品也并不例外。随着市场形势变化，国内 DRAM 芯片制造商长鑫存储（CXMT）正在考虑提高 DDR4 内存的价格，但具体涨价幅度暂不知悉。