面向 AI 的下一代超高性能 DRAM,SK 海力士已向主要客户供应 12 层 HBM4E 样品
SK 海力士宣布已向主要客户供应下一代 AI 内存 HBM4E 的样品。相比 HBM4,新品性能与能效实现跨越式升级,引脚速率达 16Gbps,能效提升超 20%,并降低数据传输延迟。该产品采用先进 MR-MUF 工艺,实现 48GB 容量与更优热稳定性,旨在提升下一代 AI 数据中心效率。#HBM4E# #AI 芯片# #SK 海力士#
SK 海力士宣布已向主要客户供应下一代 AI 内存 HBM4E 的样品。相比 HBM4,新品性能与能效实现跨越式升级,引脚速率达 16Gbps,能效提升超 20%,并降低数据传输延迟。该产品采用先进 MR-MUF 工艺,实现 48GB 容量与更优热稳定性,旨在提升下一代 AI 数据中心效率。#HBM4E# #AI 芯片# #SK 海力士#
Rambus HBM4E 控制器 IP 可与第三方的标准或 TSV 形式 PHY(物理层)搭配使用,作为 AI SoC 或定制 Base Die 解决方案的一部分。