休闲区 安森美同英诺赛科达成 MOU，计划就 40~200V 氮化镓 GaN 器件制造展开合作 双方计划以英诺赛科的八英寸硅基 GaN 技术平台为安森美制造中低电压 GaN 功率器件。 0 2 0 Share
