IT之家 5 月 29 日消息，据日刊工业新闻报道，日本精密零组件制造商 Orbray 宣布，已与丰田旗下车载半导体研发企业 Mirise Technologies 签订协议，共同研发钻石功率半导体。
▲ 图源：Obray
报道称，Mirise 和 Orbray 将结合二者的钻石晶圆基板与功率元件技术，共同研发直立式钻石功率元件，以满足电动车需求。其中，Orbray 将负责开发 P 型导电性钻石晶圆基板，Mirise Technologies 则开发功率元件之中的持续耐电压结构。
报道指出，双方签订了为期 3 年的合作协议。预计钻石功率半导体将在 10 年后可实现实用化。Orbray 将投资 100 亿日元（IT之家备注：当前约 5.03 亿元人民币）新建生产车载功率半导体用钻石晶圆基板等产品的工厂，ECU 等电动车零组件也将在该厂进行量产。
IT之家查阅资料获悉，与传统的硅、SiC、 GaN 等第三代半导体材料相比，钻石具备更好的耐受高电压特性，更高的热传导率即散热性能。因此，专家认为钻石是最佳的第四代半导体材料。
